?

Log in

No account? Create an account
СОЛНЕЧНАЯ БАТАРЕЯ СВОИМИ РУКАМИ По методу великого КРЕОСАНА
Панорамы Владивостока
vladivostok_map

Как сделать настоящую Солнечную Батарею из подручных материалов ? Об этом вам подскажет великий профессионал электричества Криосан ! Все настолько просто что вы конечно не поверите, ведь для создания солнечной электростанции вам понадобится лишь клей и фанера, ну и еще пара тройка незначительных деталей таких как солнечные панели, провода, аккумуляторы и источники бесперебойного питания :-) Все главное вы конечно сделаете СВОИМИ РУКАМИ мо мудрым советам профессионалов.
Ну ,а если у вас ничего не получится, то это у вас гвозди не той системы или руки растут не в том направлении.
А в остальном все прекрасно!
Улыбайтесь господа и дамы - это полезно! :-)

#солнечнаябатареясамодельная #солнечнаяпанельсвоимируками

How to make Solar Cell free energy using LEDs
Панорамы Владивостока
vladivostok_map

How to make Solar Cell using LEDs
To make solar cell free energy using led wery easy! Make it at home. Idea to make solar panel using led are wery simple and easy. Solar panel, solar cell you can make at home, That's a great idea diy simple make solar cell for free energy diy solar panel. Simple and easy electronics diy projects make it at home.

ДРЕВНИЕ ГИБРИДНЫЕ МИКРОСХЕМЫ -= Сделано в СССР =-
Панорамы Владивостока
vladivostok_map

Вы думаете что Первый Искусственный Спутник Земли передавал сигналы из космоса с помощью лампового передатчика ? И что Советская микроэлектроника была самой Большой электроникой в мире ? Вы глубоко заблуждаетесь!
То что самые малые модули и микросхемы были созданы на западе и в Японии - это миф!
И Гибридные Микро Схемы тому живое доказательство!

Первая в мире гибридная интегральная схема «Квант» (позже получившая обозначение «ГИС серии 116») была разработана в 1962 году в ленинградском НИИ Радиоэлектроники (НИИРЭ, позже НПО «Ленинец»), главный конструктор — А. Н. Пелипченко. Она же была первой в мире ГИС с двухуровневой интеграцией — в качестве активных элементов в ней использованы не дискретные бескорпусные транзисторы, а третья в мире полупроводниковая ИС «Р12-2», разработанная и изготовленная в том же 1962 году по заказу НИИРЭ Рижским заводом полупроводниковых приборов (РЗПП), главный конструктор — Ю. В. Осокин. ГИС производилась до середины 1990-х годов, то есть более 30 лет.

Первая зарубежная ГИС была анонсирована фирмой IBM в 1964 году в виде STL-модулей, которые были созданы фирмой для нового семейства компьютеров IBM-360.

Следующая гибридная толстоплёночная интегральная микросхема (серия 201 «Тропа») была разработана в 1963-65 годах в НИИ точной технологии («Ангстрем»), серийное производство с 1965 года].

Разработки и исследования в области специальной микроэлектроники велись ЛНПО «Авангард». Результатом работы было создание новых видов комплектующих изделий РЭА — микросборок и устройств функциональной электроники.

Гибридные МС являются дальнейшим развитием идеи микромодулей — компактных законченных функциональных блоков, собранных на миниатюрных бескорпусных элементах очень плотным монтажом. Микромодули же, в свою очередь, продолжают идеи компактронов — комбинированных радиоламп, содержащих в одном баллоне 3 и более лампы. Ещё до Второй Мировой войны существовали компактроны, в которых сразу были выполнены межэлектродные соединения ламп в нужную схему, а также имелись проволочные резисторы и дроссели, это и были первые микромодули и непосредственные предки гибридных МС.

Гибридная интегральная схема (гибридная микросхема, микросборка, ГИС, ГИМС) — интегральная схема, в которой наряду с элементами, неразъёмно связанными на поверхности или в объёме подложки, используются навесные микроминиатюрные элементы (транзисторы, конденсаторы, полупроводниковые диоды, катушки индуктивности, вакуумные электронные приборы, кварцевые резонаторы и др.). В зависимости от метода изготовления неразъёмно связанных элементов различают гибридные, плёночную и полупроводниковую интегральные схемы.

Резисторы, контактные площадки и электрические проводники в ГИС изготовляют либо последовательным напылением на подложку различных материалов в вакуумных установках[1] (метод напыления через маски, метод фотолитографии — ГИС тонкоплёночной технологии), либо нанесением их в виде плёнок (химические способы, метод шёлкографии и др. — ГИС толстоплёночной технологии).

Величины плёночных резисторов могут быть скорректированы в процессе производства с помощью лазерной подгонки (лазерное воздействие локально испаряет материал резистора, уменьшая его сечение), что необходимо, например, для создания высокоточных ЦАП и АЦП.

Навесные элементы крепят на одной подложке с плёночными элементами, а их выводы присоединяют к соответствующим контактным площадкам пайкой или сваркой. ГИС, как правило, помещают в корпус и герметизируют. Применение ГИС в электронной аппаратуре повышает её надёжность, уменьшает габариты и массу.

В моем распоряжении ГИС К816УД2в. Операционный усилитель К816УД2 подобен К816УД1, с небольшим отличием - входной каскад УД1 выполнен на составных n-p-n транзисторах, а входной каскад УД2 выполнен с применением полевых n-канальных транзисторов с p-n-переходом.